В статье приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований закономерностей формообразования вольт-амперных характеристик МОП-транзисторов в схеме с общим стоком. Показано принципиальное отличие входных и выходных характеристик в схеме с общим стоком от аналогичных характеристик в схеме общим истоком.

Умумий сток схемада МДЯ транзисторларнинг вольт-ампер характерис-тикалари шаклланиш қонуниятлари назарий ва экспериментал тадқиқот натижалари келтирилган.Умумий сток ва исток схемаларида кириш ва чиқиш характеристикалари бир-бирларидан тубдан фарқланиши кўрсатилган

The results of theoretical and experimental studies of the generalities of I-V characteristics curve formation of MOSFET of the common drain are presented. The principal difference between input and output characteristics of the common drain from the analogical characteristics in the common source is shown.