Приведены результаты исследования и компьютерного моделирования составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с разной шириной запрещенной зоны. Для исследования вольт — амперных характеристик составных транзисторов разработана диалоговая компьютерная моделирующая программа в среде программирования Dеlphi-6. Показано, что предлагаемые транзисторы позволяют повысить технологичность при его промышленном изготовлении. Предложенные транзисторы предназначены для выходных каскадов усилителей мощности, радиопередающих устройств, электронного оборудования промышленной и автомобильной электроники.

Таъқиқланган зоналари кенглиги турлича бўлган яримўтказгичли материалдан ясалган таркибий транзисторларни назарий тадқиқ қилиш ва компьютерда моделлаштириш натижалари келтирилган. Бундай таркибий транзисторларнинг вольт-ампер тавсифларини тадқиқ этиш учун Dеlphi-6 дастурлаш муҳитида мулоқотли компьютерда моделлаштириш дастури ишлаб чиқилган. Таклиф этилаѐтган транзисторларни саноат миқѐсида ишлаб чиқаришда технологиклик ортиши кўрсатилган. Таклиф этилаѐтган таркибий транзисторлар қувват кучайтиргичлари, радио узатиш қурилмаларининг чиқиш босқичлари, саноат ва автомобиль электроника қурилмалари учун мўлжалланган.

The results of theoretical research and computer simulation of composite transistors made of a semiconductor material with different width of forbidden zone are presented in the article. To study the volt-ampere characteristics of such composite transistors, an interactive computer simulation program was developed in the programming environment of Delphi-6. It is shown that the proposed transistors make it possible to improve manufacturability when it is manufactured industrially. The proposed composite transistors are designed for output stages of power amplifiers, radio transmitting devices, electronic equipment for industrial and automotive electronics.