Основные закономерности токообразования и формообразования вах биполярных транзисторов в схеме с общим коллектором

Основные закономерности токообразования и формообразования вах биполярных транзисторов в схеме с общим коллектором

№ 3 (43) 2017

Страницы:

80 –

93 Язык: русский

Аннотация

В статье впервые приводятся результаты теоретического и экспериментального исследований основных закономерностей токообразования и формообразования вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общим коллектором.

Мақолада илк бор уммумий коллектор схемасида уланган биполяр транзисторларнинг вольт-ампер характеристикалари шакилланиш қонуниятлари назарий ва экспериментал тадқиқот натижалари келтирилган.

This allowed the authors to create an amplifier with the lowest possible coefficient of nonlinear distortion at extremely low power consumption.

Список использованных источников

Douglas Self. Self on Audio: Collected Articles of Douglas Self, Newnes Publications 2015 3rd Edition, p.548.

Данилов А.А. Прецизионные усилители низкой частоты. М.: Горячая линия-Телеком, 2004 - 322с.

Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1973 - 720с.

Чахмахсазян Е.А., Мозговой Г.П., Силин В.Д. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов схем. М.: Радио и связь. 1985 - 144с.

Андреев И.С., Арипов Х.К., Максудов Ж.Т., Рахматов Ш.Б. Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы и тиристоры. Часть 1./– Т.: 1994 - 163 с.

Соатов Х.С., Арипов Х.К. Исследование многопараметрических нелинейных математических моделей биполярных транзисторов. Вестник ТУИТ, 4(32)/2014, Ташкент, с.124-130

Андреев И.С., Арипов Х.К., Максудов Ж.Т., Рахматов Ш.Б. Полупроводниковые приборы многослойной структуры. Транзисторы и тиристоры. Часть 2./– Т.: 1994- 97 с.

Патент РУз № IAP 04640 от 29.12.2012. Расмий ахборотнома, №1. 31.01.2013// Усилитель мощности. Арипов Х.К., Алимова Н.Б., Арипова З.Х.,Бустанов Х.Х., Мавланов А.Р., Объедков Е.В., Тошматов Ш.Т.

Toshmatov Sh.Т. Power amplifier with injection-voltaic transistor with quiescent current stabilization. / Труды СКФ МТУСИ. Часть II, 20-25 апреля Ростов-на-Дону: 2015, p.303-306.