Основные закономерности формообразования вольт- Амперных характеристик моп-транзисторов в схеме с общим стоком
- № 2 (42) 2017
Страницы:
78
–
88
Язык: русский
Аннотация
Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований закономерностей формообразования вольт-амперных характеристик МОП-транзисторов в схеме с общим стоком. Показано принципиальное отличие входных и выходных характеристик в схеме с общим стоком от аналогичных характеристик в схеме общим истоком.
Умумий сток схемада МДЯ транзисторларнинг вольт-ампер характеристикалари шаклланиш қонуниятлари назарий ва экспериментал тадқиқот натижалари келтирилган. Умумий сток ва исток схемаларида кириш ва чиқиш характеристикалари бир-бирларидан тубдан фарқланиши кўрсатилган.
The results of theoretical and experimental studies of the regularities of the formation of I-V characteristics of amplifying elements in a circuit with a common output electrode (drain, collector, anode) allowed the authors to create amplifiers that have the lowest possible coefficient of nonlinear distortion at extremely low power consumption.
Умумий сток схемада МДЯ транзисторларнинг вольт-ампер характеристикалари шаклланиш қонуниятлари назарий ва экспериментал тадқиқот натижалари келтирилган. Умумий сток ва исток схемаларида кириш ва чиқиш характеристикалари бир-бирларидан тубдан фарқланиши кўрсатилган.
The results of theoretical and experimental studies of the regularities of the formation of I-V characteristics of amplifying elements in a circuit with a common output electrode (drain, collector, anode) allowed the authors to create amplifiers that have the lowest possible coefficient of nonlinear distortion at extremely low power consumption.