О механизме токопереноса в гетеропереходах р-Cu2ZnSnSe4/n-gaas

О механизме токопереноса в гетеропереходах р-Cu2ZnSnSe4/n-gaas

№ 3 (5) 2018

Страницы:

110 –

112 Язык: русский

Открыть файл статьи

Аннотация

В статье приводятся результаты изучения механизма токопереноса в анизотипных гетеропереходах p-Cu2ZnSnSe4/n-GaAs. На основе анализа ВАХ и построенния зонной модели ГП установлены механизмы токопереноса. При малых прямых напряжениях доминируют токи, ограниченные пространственным зарядом. В области 0,2 < U 1,3 В ВАХ подчиняется линейному закону. При малых обратных напряжениях прохождение тока ограничивается пространственным зарядом в режиме подвижности, а при |Uобр|>2,5 В начинается мягкий пробой.

Список использованных источников

Katagiri H. and Jimbo K. // Appl. Phys. Express, 2008,041201.

Wang W., Winkler M. T., Gunawan O., GokmenT., TodorovT. K., ZhuY., Mitzi D. B. Advanced Energy Materials, DOI: 10.1002/aenm.201301465.

Cu2ZnSnS4 Thin Film Solar Cells: Present Status and Future Prospects http://dx.doi.org/10.5772/50702.

Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент.- М.: Энергоатомиздат. 1987.275 с.

Ж.И. Алфѐров. ФТП, 32, стр. 3 (1998).

В.Ф. Гременок, М.С. Тиванов, В.Б. Залесский. «Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов»- Минск: Изд. ЦентрБГУ, 2007, 224 с.

Юсупов А., Адамбаев К.,Тураев З.З., Кутлим-ратов А. Естественные и технические науки, №3, стр. 59 (2015).

Г.Ламперт, П.Марк , Инжекционные токи в твердых телах.М.Мир,1973. 9. E.Hernandez, Cryst.Res.Technol. v.33, р.285 (1998).