Экспериментально показано, что прямое напряжение и ток фотодиода в фотовольтаическом режиме сильно зависят от ширины запрещенной зоны полупроводникового материала, типа нагрузки и её сопротивления.Схемы последовательно-включенных фотодиодов в фотовольтаическом режиме с нелинейной нагрузкой на биполярном транзисторе выполняют функцию датчика излучения.

Фото-вольтаик режимда фотодиоддаги тўғри кучланиш ва ток яримўтказгич материал тақиқланган зона кенглиги, юклама тури ва унинг қаршилигига кучли равишда боғлиқлиги тажрибада кўрсатилган. Ночизиқ юкламабиполяр транзистор билан фотовольтаик режимда ишловчи кетма-кет уланган фотодиодли схемалар нурланиш датчиги функцияини бажарадилар.

Experimentally it is shown that forward voltage and current of the photodiode in the photovoltaic mode strongly depend on width of forbidden energy gap of semiconductor material, like loading and its resistance. Diagrams of series-connected photodiodes in the photovoltaic mode with non-linear loading on the bipolar transistor perform function of the sensor of radiation.