Перейти к содержимому
UzScite
  • НСИ
    • Новости События
    • Методическая информация
    • Нормативные документы
  • Каталог журналов
  • Указатель авторов
  • Список организаций

Методы построения нагрузочных характеристик Усилителей мощности на биполярных транзисторах

Тошматов Ш.Т.

Муҳаммад ал-Хоразмий авлодлари

  • № 2 (2) 2017

Страницы: 

57

 – 

60

Язык: русский

Открыть файл статьи
Открыть страницу статьи в Интернет

Аннотация

В данной статье впервые предложены и разработаны методы построения нагрузочных характеристик усилителей мощности на биполярных транзисторах в схеме с общим коллектором.

Список использованных источников

  1. Х.К.Арипов., Ш.Т.Тошматов.Закономерности токообразования и фотообразования ВАХ в транзисторах в схеме с общим коллектором. // Современные проблемы науки и образования в техническом ВУЗе: материалы II международной научно-практической конференции. г.Стерлитамак, Ч.I.-УФА:Уфимск.гос. авиац. техн. Ун-т. 25-27 июня 2015.-С.104-108.
  2. Toshmatov Sh.T. Power amplifier with injection-voltaic transistor with quiescent current stabilization // Труды СКФ МТУСИ часть II,20-25 апреля Ростов-на-Дону 2015, 303-306p.

Список всех публикаций, цитирующих данную статью

Copyright © 2025 UzScite | E-LINE PRESS