Перейти к содержимому
UzScite
  • НСИ
    • Новости События
    • Методическая информация
    • Нормативные документы
  • Каталог журналов
  • Указатель авторов
  • Список организаций

Математическая модель афн-приемника

Рахимов Н.Р.

Алижанов Д.Д.

Муҳаммад ал-Хоразмий авлодлари

  • № 2 (4) 2018

Страницы: 

49

 – 

50

Язык: русский

Открыть файл статьи
Открыть страницу статьи в Интернет

Аннотация

В данной статье приведена математическая модель АФН-приемника (аномально большого фотонапряжения) в полупроводниковых плѐночных системах. Математическая модель АФН-приемника является функцией многих переменных: светового потока, спектрального состава оптического излучения, температуры и влажности.

In this article are given mathematical the APV model — the receiver (abnormally big photovoltaik) in semiconductor film systems. Mathematical model of the APV-receiver is function of many variables: light stream, spectral structure of optical radiation, temperature and humidity.

Список использованных источников

  1. Ишанин Г.Г., Козлов В.В. Источники излучения: Учебное пособие. СПб: СПб ГУИТМО, 2005. – 395 с.
  2. Рахимов Н.Р. Серьѐзнов А.Н. АФН-пленки и их применение: монография. – Новосибирск: СибНИА, 2005. – 64 с
  3. Рахимов Н.Р., Ушаков О.К.Оптоэлектронные датчики на основе АФН-эффекта: монография. Новосибирск: СП «Наука РАН, 2010. – 218 с.
  4. Перспективы применения АФН –приемника для разработки оптоэлектронной информационно – измерительной системы. / Н.Р.Рахимов, Д.Д Алижанов, В.А. Жмудь. // Научный вестник НГТУ -2014г.

Список всех публикаций, цитирующих данную статью

Copyright © 2025 UzScite | E-LINE PRESS