В статье приводятся результаты исследования нанокристаллов силицида металла, полученного облучением поверхности кремния ионами бария и кобальта энергией от 0,5 до 5 КэВ и дозой от 1016 до 1017 см–2 с последующим отжигом при температурном интервале от 900 К до 1400 К в течение 30 минут. Показано, что полученные нанопленки силицида кобальта можно использовать в качестве материала для изготовления приборов наноэлектроники.

Мақолада кремний монокристали сиртини 0,5 КэВ дан 5 КэВ гача энергияда, 1016 см-2 дан 1017 см-2 гача дозада барий ва кобальт ионлари билан нурлантириб ва 900 К дан 1400 К гача бўлган ҳароратда 30 минут давомида отжиг қилиниб ҳосил қилинган кремний силициди нанокристалларини текшириш натижалари келтирилган. Ҳосил қидинган кремний силициди асосида наонэлектроника асбобларини яратиш мумкинлиги кўрсатилган.

The statistical results of the nanocrystals of metal silicide’s research obtained by irradiating a silicon surface with barium and cobalt ions energy from 0.5 to 5 KeV and a dose of 1016 to 1017 cm-2, followed by annealing at a temperature range from 900 K to 1400 K for 30 minutes are described in the article. Moreover, it is shown that the obtained nanofilms of cobalt silicide can be used as material for the manufacture of nanoelectronics devices.