Интроскопия полупроводниковых пластин
- № 2 (2) 2017
Страницы:
91
–
99
Язык: русский
Аннотация
В работе проведены исследования по развитию методов интроскопии полупроводниковых пластин с использованием когерентного и некогерентного излучения.Представлены теоретические основы методов и разработанное экспериментальное оборудование. Описана методика анализа дефектов в поле некогерентного излучения на основе
сравнения с эталонным образцом. Представлена развитая методика контроля крупномасштабных неоднородностей, основанная на анализе восстановленных интерферограмм в процессе остывания полупроводниковой пластины. Интерферограммы восстанавливались на основе сравнения голограмм, полученных при освещении когерентным
источником излучения. Представлена методика определения дефектности кремниевых пластин,основанная на сравнительном анализе Фурье образов голографических интрограмм.